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近几年我国在高铁、航空航天、通讯、智能手机等领域的发展 ， 确实让许多国人感到骄傲 ， 但有一点我们却不得不承认 ， 芯片产业链存在一些“断点” 。 如今中美科技竞争日益加剧 ， 前有中兴 ， 后有华为 ， 接连有中企在芯片环节遭遇“断粮” ， 所以当下“芯片国产化”问题也已迫在眉睫！

其实我国不乏芯片研发设计企业 ， 尤其是华为的海思半导体 ， 其打造的麒麟芯片已经能与高通顶级芯片打得有来有回 。 我们不擅长的是高端芯片生产能力 ， 而之所以说“芯片产业链存在断点” ， 就是说国产芯片其实并没有外行人想象的那么差 。 任正非在与多家高校校长交流的过程中就提到：国产高端芯片之所以无法量产 ， 主要是因为光刻机和化学材料被卡脖子 。

光刻机 ， 又叫掩模对准曝光机 ， 这是制造芯片所用到的核心设备 ， 类似于照片冲印技术 ， 把设计好的芯片图纸通过光线曝光到硅片上 ， 而化学材料 ， 通常指的就是光刻胶 。
不可轻视的光刻胶
与我们平常所用到的胶水不同 ， 光刻胶又叫光致抗蚀剂 ， 指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等照射或辐射 ， 使其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料 ， 而光刻机在光刻过程中 ， 为了不让硅片表面留下痕迹 ， 就需要用到光刻胶 。 而光刻胶质量的优劣 ， 直接影响光刻机的工艺水平 ， 最终会影响到成品芯片的性能和稳定性等 。

光刻胶的生产 ， 所使用到的技术也极为复杂 ， 而且规格也较多 。 如果按类别划分 ， 光刻胶可分为g线、i线、KrF、ArF光刻胶 。 相对而言g线、i线是入门级产品 ， 用于436、250-800nm制程工艺 ， 而ArF则是光刻胶领域的顶级材料 ， 这是14nm、7nm及先进制程工艺芯片制造过程中不可或缺的材料 ， 制造难度也最高 。

长期以来 ， ArF光刻胶市场几乎被美日所垄断 ， 尤其是日本 ， 卡着半导体材料的咽喉 ， 自然也成了日本手里为数不多的“武器” ， 于是在美命令之下开始对国产半导体进行“围追堵截” 。
中企光刻机材料获突破
令国人感到骄傲的是 ， 每一次关键技术被卡脖子 ， 国内科研人员总能给我们带来好消息！
据国内权威媒体报道 ， 南大光电已经实现了ArF光刻胶产线建设和送检适配 ， 并且获得了少量的订单 。 据南大光电表示 ， 南大光电ArF光刻胶所需要的配套产品均是自主研发 ， 目前ArF光刻胶已经送到下游客户进行验证 。

也就是说 ， 南大光电已经突破了ArF光刻胶的关键技术 ， 并实现了小批量生产 ， 这已经打破了长期以来美日技术壁垒 。
何时大规模量产？
至于何时开始量产 ， 想必不少人能猜个八九不离十 ， 要根据客户需求 。 ArF光刻胶主要用于14nm、7nm制程工艺 ， 从我国突破14nm工艺芯片量产也不难看出 ， 当国产14nm芯片开始规模量产 ， 南大光电的光刻胶也将展开规模量产 ， 与上海晶圆厂的步调基本一致 。

当然也可以反过来说 ， 南大光电ArF的光刻胶 ， 能推动国产14nm芯片的加速量产 ， 从而满足芯片市场对更多制程工艺的需求 ， 为中国芯片崛起奠定坚实的基础！
【芯片|国产“芯”崛起！南大光电半导体材料获突破，打破美日技术壁垒！】