芯片|中国存储芯片上市这两年,美韩存储芯片企业遭受沉重打击

【芯片|中国存储芯片上市这两年,美韩存储芯片企业遭受沉重打击】芯片|中国存储芯片上市这两年,美韩存储芯片企业遭受沉重打击

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芯片|中国存储芯片上市这两年,美韩存储芯片企业遭受沉重打击

分析机构指出今年以来存储芯片价格暴跌超过五成 , 美韩存储芯片企业因此饱受打击 , 做固态硬盘的美国存储产品企业希捷和西数都因此饱受打击 , 而中国的存储芯片恰恰是在去年开始大规模上市的 。

分析机构指出DRAM芯片跌价幅度最大 , 最高幅度达到八成 , 例如去年售价3000元的DDR5内存条如今只要600元左右 , DRAM内存芯片厂商主要有韩国的三星、SK海力士和美国的美光 。
相对来说NAND flash存储芯片的降幅小一些 , 以NAND flash芯片开发的固态硬盘价格今年以来普遍跌价三成 , 最高跌幅超过五成 。 由于NAND flash存储芯片的价格暴跌 , 做固态硬盘的希捷在2023财年第一财季的净利润暴跌三分之一 , 而西数的净利润更是暴跌超过九成 。
存储芯片价格暴跌的原因之一在于全球的PC、手机、汽车等行业的萎缩 , 特别是PC和手机对存储芯片需求较大的产品出现衰退 , 导致了存储芯片价格的持续下降 , 这两大行业目前尚未看到反弹的希望 , 对存储芯片的影响将至少延续到明年 。
对存储芯片行业产生影响的另一大原因则是中国的存储芯片产业崛起 , 目前中国已有两家企业分别生产NAND flash存储芯片和DRAM芯片 , 中国存储芯片的崛起打破了美日韩在存储芯片行业的垄断 。

2016年前后中国先后成立了长江存储、合肥长鑫、福建晋华三家存储芯片企业 , 不过由于众所周知的原因后来长江存储和合肥长鑫成功投入量产 , 为中国的存储芯片产业发展打开了局面 。
长江存储生产NAND flash存储芯片 , 它的发展颇为让人瞩目 , 从早期研发落后于世界主流技术的32层NAND flash存储芯片 , 随后每两年提升一次技术 , 到如今已实现了128层NAND flash存储芯片 , 跟上了全球主流水平 , 目前长江存储正在推进196层NAND flash技术 , 这将达到全球领先水平 。
合肥长鑫则主打DRAM存储芯片 , 目前也已推进到1X纳米级 , 基本跟上了美韩芯片企业的主流技术水平 。 长江存储和合肥长鑫目前正在推进二期工程 , 预期二期工程量产后 , 存储芯片产能再增加两倍 。
正是由于中国的存储芯片企业打破美日韩在存储芯片行业的垄断推动了存储芯片价格的下降 , 毕竟中国是全球最大的存储芯片市场 , 占全球存储芯片市场近两成的份额 , 中国存储芯片的崛起提升了中国制造的存储芯片自给率 , 减少了对海外存储芯片的需求 , 加速了存储芯片的价格下降势头 。
分析机构指出明年全球芯片行业将萎缩四分之一 , 在芯片行业衰退的情况下 , 全球芯片行业将比拼成本 , 谁的成本更低就更有希望在这一轮衰退中生存下来 , 而中国的存储芯片企业显然在成本方面更有优势 。

存储芯片的成就可以说是中国芯片的缩影 , 这几年中国的芯片行业取得了巨大的突破 , 在诸多芯片领域打破空白 , 国产芯片自给率也由此提升至三成多 , 中国的芯片进口量减少了600多亿颗 , 迫使美国芯片等大幅降价 , 印证了一个道理 , 那就是中国有的那么外国企业就只能降价 。