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据之前报道 , 美光(Micron)几个月前已推出232层TLC NAND闪存 , 并计划2022年底开始正式生产 。 近日美光宣布开始出货采用232层TLC NAND闪存的2550系列PCIe 4.0 NVMe固态硬盘 , 美光称该系列固态硬盘具有密度与功耗优势 , 相比自家上代产品 , 写入带宽提高了100% 。
该系列固态硬盘支持NVMe1.4协议 , 拥有2230、2242、2280三种规格 , 每种规格都提供256GB、512GB及1TB三种容量 。 其中256G容量规格硬盘的最大顺序读取速度为4500MB/s , 最大顺序写入速度为2000MB/s , 最大随机读取380K IOPS , 最大随机写入为400K IOPS , TBW为150TB;512G容量规格硬盘的最大顺序读取速度为5000MB/s , 最大顺序写入速度为4000MB/s , 最大随机读取500K IOPS , 最大随机写入为600K IOPS , TBW为300TB;1T容量规格硬盘的最大顺序读取速度为5000MB/s , 最大顺序写入速度为4000MB/s , 最大随机读取550K IOPS , 最大随机写入为600K IOPS , TBW为600TB 。
美光通过优化进入与退出节能状态的过程 , 为控制芯片采用更先进的制程工艺 , 采用HMB(Host Memory Buffer)技术清除DRAM等手段进一步降低固态硬盘功耗 , 可使笔记本拥有更长的续航。 美光称该系列固态硬盘睡眠功耗低于2.5mW , 空闲功耗低于150mW , 活动功耗低于5.5W 。
【固态硬盘|美光开始出货2550系列NVMe固态硬盘采用232层TLC NAND闪存】目前已有包括长江存储 , 三星 , SK海力士在内的多家厂商推出层数高于200的NAND闪存 , 估计很快会更多相应产品与消费者见面 。
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