碳基芯片,能帮助中国芯超过美国,还不需要EUV光刻机?

众所周知 , 美国最近已经联手荷兰、日本 , 对中国芯进行了全面围堵 , 目标是卡死中国芯片工艺制程在14nm , 不准再前进 。
实话实说 , 目前的形势对我们非常不利 , ASML的EUV光刻机买不到 , 能用于7nm工艺的浸润式光刻机 , ASML、尼康也不能卖 , 只能卖出14nm以上工艺的光刻机 。
而国产的光刻机 , 分辨率还在90nm , 要达到14nm以下 , 估计还得非常长的时间 。
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所以很多人认为 , 在硅基芯片上 , 在短时间内追上甚至超过美国 , 基本上不太可能了 , 再加上硅基芯片 , 已经快要达到性能极限了 , 注定要被新材料新技术替代的 , 所以我们需要换道超车 , 提前布局才行 。
而量子芯片、光子芯片、碳基芯片是新的方向 。 其中特别是碳基芯片 , 更是成为了很多人的希望 , 因为目前在碳基芯片上 , 我们的水平并没有落后 , 在材料、制造、研究等领域 , 是处于世界前列的 , 截至2022年底 , 中国与碳基芯片相关的石墨烯专利技术申请量约占全球的80% 。
再加上碳基芯片的电子迁移率远高于硅基材料 , 性能至少是硅基芯片的10倍以上 , 同时功耗还能大幅降低 。
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还有人称 , 碳基芯片 , 由于不使用硅 , 所以现有的光刻机技术 , 可能会被颠覆 , 不再需要EUV光刻机了 , 所以中国芯也就不会再被光刻机卡住脖子 , 值得我们大干一场 。
事实上 , 目前的碳基芯片基本上还处于概念阶段 , 并没有实际可以量产的成品出现 , 更多的只是科学研究 , 全球都是如此 。
同时由于载碳原子有4个自由电子 , 碳晶体管本身具有较高的导热性与电子活泼性 , 导致碳晶体管的内部结构十分不稳定 , 这也是当前制造碳基芯片的难点 。
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此外 , 从现在的研究来看 , 制造碳晶体管 , 依然采用的是当前硅基芯片的相同技术 , 还是采用投影式光刻机 , 对电路图进行投影 , 原理、过程都一致的 。
这意味着 , 想靠碳基芯片来绕过光刻机 , 以及EUV光刻机 , 在当前阶段可能并不现实 , 碳基芯片与硅基芯片相比 , 只是材料不同而已 , 制造方式还是一样的 。
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当然 , 碳基芯片远比硅芯片先进 , 比如40nm的芯片碳基芯片 , 可以达到10nm硅基芯片的性能 , 也就是说14nm的碳基芯片 , 或许能达到3nm硅基芯片的性能 , 而我们如今掌握了14nm工艺 , 如果能率先制造出碳基芯片 , 确实是换道成功 。
碳基芯片,能帮助中国芯超过美国,还不需要EUV光刻机?】但是 , 实话实说 , 任何技术 , 都需要积累相关技术优势才能真正实现弯道超车 , 想要换条道 , 就可以超过别人 , 并不太现实 , 只有我国的半导体产业更加完善 , 将原本薄弱的基础都补上来 , 才能真正开启一个全新的芯片时代 , 你觉得呢?