5G、快充、新能源，「第三代半导体」加速弯道超车|芯征程 | 新能源汽车( 四 ) 半导体材料|新能源汽车

2）美国II-VI
公司成立于1971年，主要致力于SiC基底上生长GaN外延，是世界领先的碳化硅衬底供应商，能够提供4至6英寸导电型和半绝缘型晶片，并已成功研制8英寸导电型碳化硅晶片。2018年，公司占SiC晶片市场16%的份额，当前公司市值为71亿美元。
3）德国英飞凌（Infineon）
公司成立于1999年，是市场上唯一一家提供覆盖Si、SiC和GaN等材料的全系列功率产品的公司，拥有第七代CoolMOS、基于第三代宽禁带半导体的高性能CoolSiC与CoolGaN、以及支持更高频率应用的第六代OptiMOS等产品组合。英飞凌的产品主要是车规级功率半导体，为大众、奥迪和奔驰等车企提供半导体器件。根据IHS Markit最新数据，英飞凌在全球IGBT市场市占率达34.5%。
4）意法半导体
公司于1987年成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成，目前公司总市值为342亿美元。公司承担6英寸碳化硅衬底和外延片生产业务、研发6英寸碳化硅衬底和外延片以及更广泛的宽禁带材料，公司产品应用于工业及汽车等领域。公司2018年占SiC晶片市场0.5%的份额，在元器件市场占有率超过50%。为特斯拉、比亚迪等车企提供功率半导体器件。
5）日本罗姆（Rohm）
公司于1958年诞生于日本，致力于SiC肖特基二极管和MOSFET生产，2009年，罗姆收购了SiC晶圆供应商SiCrystal，2012年批量生产全SiC模块，2015年率先推出沟槽型的SiC MOSFET，2017年交付6英寸SBD。目前已形成了SiC衬底-外延-器件-模块垂直供应的体系。2018年公司占全球SiC晶片市场12%的份额。公司产品主要应用于电动汽车等领域，供应给现代和雷诺等汽车厂商。
6）法国Soitec
公司成立于1997年，其Smart CutTM剥离技术，可将晶体材料中的超薄单晶硅层从供体衬底转移到其他衬底上，公司目前已逐渐成为全球最大的优化衬底供应商，正在将产品线从硅延伸到了GaN等领域，用于下一代5G产品的射频过滤器。
国内巨头1）天科合达
公司成立于2006年，是国内成立时间最早、规模最大的碳化硅晶片制造商之一。去年10月份撤销了上市申请，于今年三月份完成2.5亿人民币股权转让融资。天科合达聚焦第三代半导体碳化硅材料领域，主营业务是生产第三代半导体碳化硅晶片。目前，已经掌握6英寸碳化硅晶片的制造技术，并成功实现批量供应。公司客户包括三安集成、中电化合物、东莞天域等。
根据Yole数据，2018年天科合达导电型晶片的全球市场占有率为 1.7%，排名全球第六、国内第一。 2017-2019年公司收入由0.24亿增长至1.55亿元，两年复合增长率154%。
2）山东天岳
公司成立于2010年，目前该公司科创板IPO申请已获得受理，拟募集资金20亿元。公司产品主要在半绝缘型的SiC片。产品可广泛应用于电力电子、微波电子、光电子等领域，已经成功出口日本、韩国、台湾、俄罗斯、瑞典、德国、澳大利亚等国家和地区的外延/器件厂商以及科研院校。
根据Yole数据，2018年山东天岳导电型晶片的全球市场占有率为 0.5%，排名国内第二。公司收入从2018年收入1.1亿左右增加至2019年超过2.5亿总收入，同比增长100%以上。
3）三安集成
三安集成为三安光电集团全资子公司，于2000年在厦门成立，总投资额30亿元。三安集成电路第三代半导体SiC/GaN全布局，是涵盖微波射频、高功率电力电子、光通讯等领域的化合物半导体制造平台；具备衬底材料、外延生长、以及芯片制造的产业整合能力，拥有大规模、先进制程能力的MOCVD外延生长制造线，并拥有砷化镓和氮化镓外延片生产线，以及适用于专业通讯微电子器件市场的砷化镓高速半导体芯片与氮化镓高功率半导体芯片生产线。公司去年年营收3.75亿元，产品包括绿能节能器件以及SiC电力电子器件，将主要应用于电动汽车、PFC电源、储能、充电桩、轨道交通、智能电网等领域，客户累计近100家。